收藏本站
MRF6S19200HR3 MRF6S19200HSR3
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PRODUCT DOCUMENTATION
Refer to the following documents to aid your design process.
Application Notes
?
AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers
Engineering Bulletins
?
EB212: Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
0
Mar. 2008
?
Initial Release of Data Sheet
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
MRF6S20010GNR1 MOSFT RF N-CH 28V 10W TO270-2 GW
MRF6S21050LSR5 MOSFET RF N-CH 28V 11.5W NI-400S
MRF6S21060NR1 MOSFET RF N-CH 28V 14W TO270-4
MRF6S21100HSR5 MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S
MRF6S21100NR1 MOSFET RF N-CH 28V 23W TO270-4
MRF6S21140HSR5 MOSFET RF N-CHAN 28V 30W NI-880S
MRF6S21190HSR5 MOSFET RF N-CH 54W NI880S
MRF6S23100HSR5 MOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780S
相关代理商/技术参数
MRF6S20010GNR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2GHZ 10W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S20010GNR1-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MRF6S20010 Series 1.6 to 2.2 GHz 28 V 10 W RF Power N-Ch Mosfet - TO-270
MRF6S20010NR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2GHZ 10W TO270-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S20010NR1_09 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S21050LR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 W-CDMA 11.5W NI400L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S21050LR3_08 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S21050LR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 W-CDMA 11.5W NI400L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S21050LS 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: